EV 2.0
EV 2.0 是一款专为半导体工艺设计的实时监测系统，支持光发射光谱（OES）和多波长干涉测量（INT），适用于干法蚀刻、等离子清洗及PECVD等工艺。该系统配备Sigma_P软件，提供配方创建与管理功能，具备自动终点检测能力，优化了工艺流程。此外，它还支持多腔室配置，能够进行终点判断、腔室健康监测及清洗过程控制，提高半导体制造的效率与产品质量。
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EV 2.0 专用于单腔室或多腔室配置下的光发射光谱（OES）或多波长干涉测量（INT）终点过程实时监测，主要应用于干法蚀刻、等离子清洗和等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）等半导体工艺的先进终点控制、故障检测或腔室健康监测，为各种半导体原始设备制造商（OEM）和最终用户应用定制，包括具有自动终点配方创建功能的工艺工程，以及执行完整终点和过程质量管理的机上处理。
产品特色
- Sigma_P 软件
Sigma_P 软件允许快速配置配方，然后创建可靠的终点检测。
通过基于 Windows 10 的软件平台，直观的用户交互设计允许处理光谱或直接处理波长。该软件包含一个具有等离子体发射波长的开放库。用户可使用配方编辑器构建有效的配方，包括多波长算法、信号算法和过滤，以及终点/健康监测条件和决策，并集成在线帮助。同一界面最多可显示 8 条曲线，同时监测特定种演变、终点和腔室健康。
- OES 配方编辑器 2.0
为简化 OES 工程流程，无监督 AI 机器学习可简化 OES 工程并创建强终点配方。制程工程师只需设置4 个参数：时间窗口、波长范围、断裂方向和阈值。然后，配方编辑器允许自动提取包含原谱、等离子体变化特征（如实现的接口、杂质检测、发现的终点等）的相关波长, 随后，一个终点配方被自动构建并一键传送到 Sigma_P。
- 用于干涉测量的动力学建模器
通过材料结构（每层由其材料、厚度和蚀刻/沉积速率来表征）和所用波长得到的理论干涉曲线。
-多种配置选配：三种不同的软件包
-从低分辨率到高分辨率的多种光谱仪
-管理光发射光谱或多波长干涉测量诊断的多种配置
-管理单腔室或多腔室（最高 6 个处理室）的多种配置
-等离子干法蚀刻和沉积的监测：数据采集、分析、比较(使用内部发射光谱库)、制程识别、一致性控制
-先进终点制程控制：全自动终点、批间控制、故障检测分类、健康监测系统，以提高半导体制造的成品率和生产率
-终点判断：晶圆批间控制、接口检测、制程一致性、低开口区域、减少过刻、生产再现性、良率提升
-腔室健康：湿法清洗周期中的腔室、制程稳定性控制、等离子体光谱监测、工艺漂移、趋势分析、预防性维护、腔室气体纯度控制和泄漏检测、故障分析
-清洗过程
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