ORTEC P型高纯锗（HPGe）γ谱仪

ORTEC GEM辐射探测器是一款P型同轴HPGe探测器，适用于~40 keV及以上典型能量范围的γ能谱测量。

GEM系列探测器特征：

• 效率达150％，还可应要求提高。

• 出色的能量分辨率和峰值对称性。

• SMART偏压选件。

• 恶劣环境（-HE）选件。

• 低本底碳纤维端盖选件。

• 外加前置放大器选件适用于超高计数率应用。

• 广泛的配置灵活性，PopTop、Streamline和机械冷却选项。

可选附件：

• 集成低温冷却系统选件（-ICS、-ICS-E）
  集成低温冷却系统（ICS）低温恒温器配备有低温冷却器，不受回温循环的影响。与使用标准型低温恒温器探测器的典型三天损失不同，ICS可以立即重新冷却，最大限度地减少因临时回温而损失的任何时间。ICS可配备内部前置放大器（-ICS）或外部前置放大器（-ICS-E）。

• 集成低温冷却低本底系统（-ICS-LB）
  低本底探测器配有内置前置放大器、高纯铝端盖、高纯铝窗、高纯铝内杯，以及用于ICS集成低温冷却系统的低本底铜安装座。较低本底的材料可在特定计数时间内降低最小可探测活度（MDA），这为在低本底应用中增加样品通量提供了另一种方法。

• SMART-1选件 (-SMP)
  SMART-1选件用于监控和报告重要的系统功能，还可保存授权码并在稍后报告该码。它包括高压，因此所有仪器都不需要外部高压电源。SMART-1采用坚固的ABS模塑塑料外壳，并通过模塑应变消除密封电缆牢牢地固定在探测器端盖上。这可避免探测器因水分泄漏到高压连接器中而受到严重损坏。SMART-1可以放置在任何方便使用的位置，不会干扰屏蔽体或其他硬件安装。

• 超高计数率前置放大器选件（-PL）
  超高计数率前置放大器（晶体管复位前置放大器）可在1 MeV下处理高达1,000,000个计数/秒的输入计数率，并具有无反馈电阻的额外优势。

• 恶劣环境选件（-HE）
  恶劣环境选件是一个坚固的碳纤维端盖，配有密封的电子设备外壳，并带有可更换的干燥剂包，用以确保电子设备保持100％干燥并指示何时需要更换干燥剂包。直径为76 mm或更大PopTop封装设计中的GEM系列探测器可配备此选件。

• 远端前置放大器选件（-HJ）
  此选件让所有前置放大器和高压接头位于屏蔽之外，并将前置放大器和高压滤波器从Ge晶体的“视线”移除。对于低本底应用，此选件消除了可能增加本底的前置放大器或高压滤波器组件。

• 低本底碳纤维端盖选件（-RB、-LB-C和-XLB-C）
  低本底碳纤维端盖与Al、Mg和Cu一样坚固，产生的本底少，不被腐蚀，并且可以检测低于10 keV的能量。这种较低的本底材料可在特定计数时间内降低最小可探测活度（MDA），这为在低本底计数应用中增加样品通量提供了另一种方法。碳纤维的较低Z可提供低能量窗口，而不会产生在大多数合金中发现的额外本底。